表-2 マイクロ波半導体デバイス認定試験(例) No. 試験名 LTPD(%)＊ 試験条件 1 衝撃 30 加速度 14.7 km/s2 , パルス幅 0.5 ms, 方向 X1,2 , Y1,2 , Z1,2 , 回数 各3サイクル 2 振動 30 周波数 100〜2,000 Hz , 加速度 196 m/s2 , 方向 X,Y,Z,4分/サイクル , 回数 各4サイクル 3 定加速度 30 加速度 196 km/s2 , 方向 Y1 , 時間 1分 , 回数 1回 4 半田耐熱性 30 温度 260℃ , 時間 10秒 本体から1〜1.5 mmまで各リート゛1回 5 熱衝撃 30 低温 0℃ , 高温 100℃ , 時間 各5分 , 回数 5サイクル 6 温度サイクル 30 温度 -65℃〜R.T.〜+175℃ 時間 30分〜5分〜30分 , 回数100サイクル 7 半田付け性 30 温度 235℃ , 時間 5秒 本体から1〜1.5 mmまで各リート゛1回 8 端子強度 30 引っ張り：引っ張り荷重は、パッケージタイプごとに異なります。 保持時間 30秒 , 回数 1回 曲げ：曲げ荷重は、パッケージタイプごとに異なります。 曲げ角度 90°, 回数 2回 9 高温保存 30 温度 Tstg max , 1,000時間 10 連続動作 30 温度 Tch max , 1,000時間 , 動作条件は、品種ごとに異なります。 * LTPD（lot tolerance percent defective）： ロット許容不良率 （抜取検査で合格する確率が、ある特定の小さい値になるような検査ロットの不良率 …JIS Z 8101より）